ブックタイトル日本結晶学会誌Vol62No3

概要

日本結晶学会誌Vol62No3

4H-SiC電力素子中でのREDG効果により成長したShockley型積層欠陥の形状についての解析31）Semiconductor Equipment and Materials International StandardM55-0308.32）X. Zhang, M. Nagano and H. Tsuchida: Mat. Sci. Forum 679-680,306（2011）．33）X. J. Ning and P. Pirouz: J. Mater. Res. 11, 884（1996）.34）J. P. Hirth and J. Lothe: Theory of Dislocations, MacGraw-Hill, p.19（1968）.35）K. X. Liu, R. E. Stahlbush, S. I. Maximenko and J. D. Caldwell:Appl. Phys. Lett. 90, 153503（2007）．36）K. Maeda, K. Murata, T. Tawara, I. Kamata and H. Tsuchida: Appl.Phys. Exp. 12, 124002（2019）.37）M. Sasaki, H. Matsuhata, K.Tamura, H. Sako, K. Kojima, H.Yamaguchi and M. Kitabatake: Jpn, J. Appl. Phys. 54, 091301（2015）.38）H. Sako, H. Matsuhata, M. Sasaki and M. Nagaya: J. Appl. Phys.119, 135702（2016）．39）T. Suzuki, H. Yamaguchi, H. Hatakeyama, H. Matsuhata, J. Senzaki,K. Fukuda, T. Shinohe and H. Okumura: Mat. Sci. Forum 717-720,477（2012）．40）T. Tsuji, T. Tawara, R. Tanuma, Y. Yonezawa, N. Iwamura, K.Kosaka, H. Yurimoto, S. Kobayashi, H. Matsuhata, K. Fukuda andH. Okumura: Mat. Sci. Forum 645-648, 309（2010）．41）R. Kosugi, T. Sakata, Y. Sakuma, T. Yatsuo, H. Matsuhata, H.Yamaguchi, I. Nagai, K. Fukuda and H. Okumura: Published onlineMRS proceedings Vol.1069, Silicon Carbide 2008 D07-21.42）N. Kawabata, A. Tanaka, M. Tsujimura, Y. Ueji, K. Omote, H.Yamaguchi, H. Matsuhata and K. Fukuda: Mat. Sci. Forum 858,384（2016）．43）Y. Ando and N. Kato: J. Appl. Crystallogr. 3, 74（1970）．44）A. Authier: Dynamical Theory of X-ray Diffraction, IUCrMonographs on Crystallography II, Oxford Science Publications,p.362, New York（2001）.45）X. R. Huang, D. R. Black, A. T. Macrander, J. Maj, Y. Chen and M.Dudley: Appl. Phys. Lett. 91, 231903（2007）.46）T. Ohno, H. Yamaguchi, S. Kuroda, K. Kojima, T. Suzuki and K.Arai: J. Crystal. Growth 260, 216（2004）．47）T. Tawara, T. Miyazawa, M. Ryo, M. Miyazato, T. Fujimoto, K.Takenaka, S. Matsunaga, M. Miyajima, A. Otsuki, Y. Yonezawa, T.Kato, H. Okumura, T. Kimoto and H. Tsuchida: J. Appl. Phys. 120,115101（2016）.48）特開2017-85047，エピタキシャルウェハの製造方法，エピタキシャルウェハ，半導体装置の製造方法及び半導体装置，2017年5月18日．プロフィール松畑洋文Hirofumi MATSUHATA産業技術総合研究所，先進パワーエレクトロニクス研究センターAdvanced Industrial Science and Technology,Advanced Power Electronics Research Center〒305-8568茨城県つくば市梅園1-1-1，中央第2事業所Central 2, 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japane-mail: h.matsuhata@aist.go.jp最終学歴：1984年九州大学総合理工学研究科材料開発工学専攻博士課程修了専門分野：半導体，酸化物セラミックスなどの微細構造，電子顕微鏡，電子回折関口隆史Takashi SEKIGUCHI筑波大学数理物質系物理工学域教授Department of Applied Physics, Faculty of Pure andApplied Sciences, University of Tsukuba, Professor〒305-8573茨城県つくば市天王台1-1-11-1-1 Tennodai, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JapanTEL：029-853-8802 FAX：029-853-5205e-mail: sekiguchi.takashi.fp@u.tsukuba.ac.jp最終学歴：東北大学大学院理学研究科物理学第2専攻博士課程中退専門分野：半導体の格子欠陥，カソードルミネッセンス，EBIC，光学，電気特性評価，電子顕微鏡による材料観察法の開発現在の研究テーマ：エネルギー角度分解した二次電子検出器の開発と応用日本結晶学会誌第62巻第3号（2020）157