ブックタイトル日本結晶学会誌Vol62No3

概要

日本結晶学会誌Vol62No3

4H-SiC電力素子中でのREDG効果により成長したShockley型積層欠陥の形状についての解析図9 2重菱形Shockely型積層欠陥の生成のモデル図．（IllustrationsonthegrowthofdoublerhombicShockleytype stacking faults.）（_a），（b），（c），（d），（e），（f），b＝±1/3［1120］の基底面Siコア刃状完全転位の拡張の例．各基底面転位の両端は貫通刃状転位でピン止めされているとする．_黒丸は_貫通刃状転位を示す．（a）b＝1/3［112__0］，ζ＝［1100］，Type A.（b）b＝1/3［112___0］，ζ＝［1100］，Type B.（c）b＝1/3__［1120］，ζ＝［_1100］，Type A.（d）b＝1/3［1120］，ζ＝［1100］，Type B．（e）Type Aの2重菱形Shockley型積層欠陥．（f）Type Bの2重菱形Shockley型積層欠陥．図9b，dはType BのSiコア刃状転位でなおかつ同じ構造の欠陥である．図9eとfは互いにc-glideの対称性によって対の構造になっている．図9a，bに示しているように同じバーガース・ベクトルをもつ基底面刃状転位から成長したShockley型積層欠陥でありながら向きが異なる2種類の積層欠陥が観察される．これは初めの基底面転位がType AかType Bなのかに依存していることを意味している．また，バーガース・ベクトルが異なる転位にもかかわらず同一形状の積層欠陥が出現することも示されている．図10にREDG効果により出現する1重菱形積層欠陥の形成の図を示す．図10a～dは転位線の方向を__±［1120］に固定したときの，b＝±1/3［1120］のType AとType Bの基底面らせん転位を示している．それぞれの基底面らせん転位の両端は貫通刃状転位でピン止めされていると想定する．図10e～hはそれぞれ図10a～dよりREDG効果により出現した1重の菱形積層欠陥である．基底面らせん転位は部分転位に分解する際に，SiコアとCコアの部分転位対になるので，REDG効果により1重の菱形形状の積層欠陥が出現する．また，同一バーガース・ベクトルのらせん転位でありながら異なる方向日本結晶学会誌第62巻第3号（2020）図101重菱形Shockely型積層欠陥の生成のモデル図．（Illustrations on the growth of single rhombicShockley type stacking_faults.）（a），（b），（c），（d），（e），（f）b＝±1/3［1120］の基底面らせん転位の拡張の例．各転位の両端は貫通刃状転位_でピン止めされているとする．（a）b＝1/3［112__ _0］，ζ＝_［1120］，Type A．（b）b_ _＝1/3［1 120］，ζ_＝［1120］，Type B．（c）b＝_1/3［1 120］，ζ_＝［1120］，TypeA．（d）b＝1/3［1120］，ζ＝［1120］，Type B．（e），（f），（g），（h）はそれぞれ（a），（b），（c），（d）よりREDG効果により出現する1重の菱形Shockley型積層欠陥．155