ブックタイトル日本結晶学会誌Vol61No4

概要

日本結晶学会誌Vol61No4

JOURNAL OF THE CRYSTALLOGRAPHICSOCIETY OF JAPANVol.61, No.4, 2019目次クリスタリットリチャードボックス，FRODO??????????????????????????????????????????????????????????????????????福山恵一‥243単粒子解析による三次元精密化????????????????????????????????????????????????????????????????松井崇‥243ナノ空間物質，実空間法，固体NMR?????????????????????????????????????????????????????????池田拓史‥243周期境界条件を用いた計算，分散力補正DFT計算????????????????????????????????都築誠二‥244微分位相コントラスト法???????????????????????????????????????????????????????????????????????????????石川亮‥244役員一覧??????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????? 245会告??????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????? 247カレンダー??????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????? 259掲示板??????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????? 259索引??????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????? 260日本結晶学会誌電子版のご利用について本誌は，創刊号から最新号まで電子化され，J-Stage https://www.jstage.jst.go.jp/browse/jcrsj/-char/ja/で公開されており，自由に閲覧可能です．本誌は，日本結晶学会ホームページhttp://www.crsj.jpからリンクされています．Cover image for this issue（表紙）グラフェンのSi点欠陥における原子電場の異方性新たな電子顕微鏡法として，走査透過型電子顕微鏡における微分位相コントラスト法が注目を集めている．試料下の回折面での検出器による微分演算により，物質中の電場を原子レベルで観察することが可能になりつつある．孤立した単原子は原子核から遮蔽電子雲に向けて等方的な電場が形成されるが，共有結合を有する原子の電場は非等方性を示すと考えられる．単層グラフェンには（a），（e）の環状暗視野像に示すような3配位（Si-C 3）や4配位（Si-C 4）の点欠陥が形成される．同時に取得した微分位相コントラスト法により得られたSi単原子の電場強度を観察すると，局所的な対称性を反映して（b）3回，（f）4回対称なSiの原子電場が形成されており，隣接するC原子との共有結合に由来した原子電場の非等方性が可視化された．（d），（f）に示すように，第一原理計算により得られた構造に基づく像計算との良い一致を示しており，原子レベルでの化学結合イメージングの発展が今後期待される．［石川亮氏より提供,本誌pp.231-236参照］