ブックタイトル日本結晶学会誌Vol61No1

概要

日本結晶学会誌Vol61No1

JOURNAL OF THE CRYSTALLOGRAPHICSOCIETY OF JAPANVol.61, No.1, 2019目次会告??????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????? 65会報??????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????? 66カレンダー??????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????? 69掲示板??????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????? 69会員情報??????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????? 70日本結晶学会誌電子版のご利用について本誌は，創刊号から最新号まで電子化され，J-Stage https://www.jstage.jst.go.jp/browse/jcrsj/-char/ja/で公開されており，自由に閲覧可能です．本誌は，日本結晶学会ホームページhttp://www.crsj.jpからリンクされています．Cover image for this issue（表紙）SiC（0001）面上グラフェンの成長機構エピタキシャルグラフェンは，SiC表面に存在するステップを起点として核生成し，その後テラス上へと成長する．具体的には，（a）のようなステップあるいはステップが集合する部分で優先的にシリコンが脱離し，残存した炭素が集まってグラフェン核が形成される．その後，（b-d）のようにグラフェンは上のテラス上へと成長が進み，（e）のように隣のステップに存在するグラフェンと合体することで，（f）のような全面を覆うグラフェンが形成される．実際には，グラフェンは1層ずつ成長するため，均一な単層グラフェンの形成が可能となる．ただし，第1層目の炭素原子層はバッファー層であり，グラフェンとしての特徴は示さないため，第2層目がグラフェンとなる．［乗松航氏より提供,本誌pp.35-42参照］