ブックタイトル日本結晶学会誌Vol55No5

概要

日本結晶学会誌Vol55No5

新規ペロブスカイト型ビスマス圧電体薄膜の作製とその特性評価T. Iijima, M. Azuma, H. Morioka, K. Saito, M. Ishikawa, T. Yamadaand H. Funakubo: Jpn. J. Appl. Phys. 47, 7582 (2008).10）S. Yasui, M. Nakajima, H. Naganuma, S. Okamura, K. Nishida, T.Yamamoto, T. Iijima, M. Azuma, H. Morioka, K. Saito, M. Ishikawa,T. Yamada and H. Funakubo: J. Appl. Phys. 105, 061620 (2009).11）S. Yasui, K. Yazawa, T. Yamada, K. Nishida, H. Uchida, M. Azumaand H. Funakubo: Jpn. J. Appl. Phys. 49, 09MB04 (2010).12）S. Yasui, O. Sakata, M. Nakajima, S. Utsugi, K. Yazawa, T. Yamadaand H. Funakubo: Jpn. J. Appl. Phys. 48, 09KD06 (2009).13）O. Sakata, S. Yasui, T. Yamada, M. Yabashi, S. Kimura and H.Funakubo: AIP Conference Proceedings 1234, 151 (2010).図11 BiFeO 3および0.16BiCoO 3-0.84BiFeO 3薄膜における歪と分極の関係.（Relationship between strain andpolarization in BiFeO 3 and 0.16BiCoO 3-0.84BiFeO 3thin films.）えられる.結晶構造解析より,さらに固溶量を増加させたx＝0.2～0.3付近において組成相境界MPBを有するが,リーク電流の観点より十分に測定データを得ることが困難であった.しかしながら,材料開発の視点から見た結果,正方晶の高圧相材料を用いた固溶体においてもPZTと同様な振る舞いを示すことがわかった.5．おわりに高圧合成法により新規正方晶強誘電体が発見されたことで,今までにない新しい非鉛圧電体材料の可能性が見出された.これらの材料は,従来の材料では難しいと考えられてきた大きな圧電性と高いキュリー温度の両立の可能性を秘めている.さらに材料合成プロセスおよび測定技術の発展により,従来とは異なる形での材料探索が加速し,今までに類を見ない新規材料が発見されていくことだろう.文献1）B. Matthias and J. Remeika: Phys. Rev. 76, 1886 (1949).2）M. Villegas, A. C. Caballero, T. Jardiel, C. Arago, J. Maudesand I. Caro: Ferroelectrics 393, 44 (2009).3）K. Matsuo, R. J. Xie, Y. Akimune and T. Sugiyama: J. Ceram.Soc. Jpn. 110, 491 (2002).4）Y. Wang, J. Wu, D. Xiao, W. Wu, B. Zhang, L. Wu and J.Zhu: J. Am. Ceram. Soc. 91, 2772 (2008).5）Y. Hiruma, R. Aoyagi, H. Nagata and T. Takenaka: Jpn. J.Appl. Phys. 44, 5040 (2005).6）A. A. Belik, S. Iikubo, K. Kodama, N. Igawa, S. Shamoto, S.Niitaka, M. Azuma, Y. Shimakawa, M. Takano, F. Izumi and E.Takayama-Muromachi: Chem. Mater. 18, 798 (2006).7）M. R. Suchomel, A. M. Fogg, M. Allix, H. Niu, J. B. Claridgeand M. J. Rosseinsky: Chem. Mater. 18, 4987 (2006).8）S. Yasui, K. Nishida, H. Naganuma, S. Okamura, T. Iijima andH. Funakubo: Jpn. J. Appl. Phys. 46, 6948 (2007).9）S. Yasui, H. Naganuma, S. Okamura, K. Nishida, T. Yamamoto,プロフィール安井伸太郎Shintaro YASUI東京工業大学応用セラミックス研究所Materials and Structures Lab., Tokyo Institute ofTechnology〒226-8503神奈川県横浜市緑区長津田町4259-J2-194259-J2-19 Nagatsuta-cho, Midori-ku, Yokohama,Kanagawa 226-8503, Japane-mail: yasui.s.aa@m.titech.ac.jp最終学歴：東京工業大学大学院総合理工学研究科博士課程修了,博士（工学）東京工業大学（2011）専門分野：無機材料薄膜,誘電体現在の研究テーマ：新規熱電材料探索趣味：釣り,ゴルフ,祭りだワッショイ舟窪浩Hiroshi FUNAKUBO東京工業大学大学院総合理工学研究科Department of Innovative and Engineered Materials,Tokyo Institute of Technology〒226-8502神奈川県横浜市緑区長津田町4259-J2-43J2-43 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama, Kanagawa226-8502, Japane-mail: funakubo.h.aa @m.titech.ac.jp最終学歴：東京工業大学理工学研究科博士課程中退,博士（工学）東京工業大学（1993）専門分野：無機合成化学,無機材料薄膜現在の研究テーマ：新規強誘電体およびプロセス開発趣味：映画坂田修身Osami SAKATA独立行政法人物質・材料研究機構中核機能部門高輝度放射光ステーションSynchrotron X-ray Station at SPring-8, ResearchNetwork and Facility Services Division, NationalInstitute for Materials Science（NIMS）〒679-5148兵庫県佐用郡佐用町光都1-1-1SPring-8, 1-1-1, Kouto, Sayo-cho, Sayo-gun, Hyogo679-5148, Japan（外部連携所属：国立大学法人東京工業大学大学院総合理工学研究科物質科学創造専攻）e-mail: SAKATA.Osami@nims.go.jp専門：薄膜X線回折現在の研究テーマ：機能性薄膜材料の原子配列構造や電子エネルギー構造の解析日本結晶学会誌第55巻第5号（2013）301